Deposição química em fase de vapor

A deposição química em fase de vapor (CVD) é um método de deposição epitaxial de filmes de materiais sólidos sobre a superfície de um substrato durante a fase de vapor de uma reação química controlada. A CVD, também chamada de deposição de filmes finos, é usada predominantemente para aplicações eletrônicas, optoeletrônicas, de catálise e energia, como semicondutores, preparação de wafer de silício e células solares imprimíveis.   

A técnica de CVD é um método versátil e rápido de suporte ao crescimento do filme, possibilitando a geração de revestimentos puros com espessura uniforme e porosidade controlada, mesmo em superfícies complicadas ou tortuosas. Além disso, é possível realizar CVD seletiva e em áreas grandes em substratos padronizados. A CVD fornece um método de crescimento escalonável, controlável e econômico para a síntese ascendente de materiais bidimensionais (2D) ou filmes finos, como metais (p. ex., silício, tungstênio), carbono (p. ex., grafeno, diamante), arsenídeos, carbonetos, nitretos, óxidos e dicalcogenídeos de metais de transição (DMTs). Para sintetizar filmes finos bem ordenados, são necessários precursores metálicos de alta pureza (organometálicos, haletos, alquilas, alcóxidos e cetonatos).

A composição e a morfologia das camadas variam dependendo dos precursores e substratos escolhidos, temperatura, pressão da câmara, vazão de gás carreador, quantidade e proporção de materiais de origem, bem como da distância entre a fonte e o substrato para o processo de CVD. A deposição de camada atômica (ALD), uma subclasse da CVD, pode proporcionar maior controle da deposição de filmes finos por meio de reações sequenciais e autolimitantes de precursores sobre um substrato.