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647780
Silicon
wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm
Produtos recomendados
forma
crystalline (cubic (a = 5.4037))
wafer (single side polished)
Nível de qualidade
contém
phosphorus as dopant
resistividade
1-10 Ω-cm
diâmetro × espessura
2 in. × 0.5 mm
pb
2355 °C (lit.)
pf
1410 °C (lit.)
densidade
2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
propriedades semicondutoras
<100>, N-type
SMILES string
[Si]
InChI
1S/Si
InChI key
XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
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Este Item | 647101 | 647675 | 647764 |
|---|---|---|---|
| bp 2355 °C (lit.) | bp 2355 °C (lit.) | bp 2355 °C (lit.) | bp 2355 °C (lit.) |
| mp 1410 °C (lit.) | mp 1410 °C (lit.) | mp 1410 °C (lit.) | mp 1410 °C (lit.) |
| density 2.33 g/mL at 25 °C (lit.) | density 2.33 g/mL at 25 °C (lit.) | density 2.33 g/mL at 25 °C (lit.) | density 2.33 g/mL at 25 °C (lit.) |
| contains phosphorus as dopant | contains - | contains boron as dopant | contains boron as dopant |
| resistivity 1-10 Ω-cm | resistivity - | resistivity - | resistivity - |
propriedades físicas
Código de classe de armazenamento
13 - Non Combustible Solids
WGK
WGK 3
Ponto de fulgor (ºF)
Not applicable
Ponto de fulgor (ºC)
Not applicable
Equipamento de proteção individual
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
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1000309185
insira como1.000309185)
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