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215619 | powder, −325 mesh, 99% trace metals basis | |||
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633097 | nanopowder, <100 nm particle size (TEM), ≥98% trace metals basis | |||
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646687 | wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm | |||
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647764 | wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm | |||
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647101 | wafer (single side polished), <111>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm | |||
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CRM029 | pkg of 50 g (dry) | |||
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647675 | wafer (single side polished), <100>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm | |||
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CRM052 | certified reference material, pkg of 50 g | |||
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CRM016 | certified reference material, pkg of 50 g | |||
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795585 | nanopowder, <100 nm (BET), <3% oxygen passivation | |||
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343250 | pieces, 99.95% trace metals basis | |||
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918334 | 100 nm silicon particles in crosslinked conducting polyanaline matrix | |||
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NIST57B | NIST® SRM® 57b | |||
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933759 | nanoparticles, 10 nm avg. part. size, ≥99% trace metals basis, battery grade | ![]() | |||
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GF91141792 | sheet, 10x10mm, thickness 0.5mm, single crystal, -100, 100% | |||
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933767 | nanoparticles, 40 nm avg. part. size, ≥99% trace metals basis | ![]() | |||
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647705 | wafer, <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.3 mm | |||
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647535 | wafer (single side polished), <100>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm | |||
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CRM025 | certified reference material, pkg of 50 g | |||
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CRM044 | certified reference material, pkg of 50 g | |||
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GF25394722 | powder, max. particle size 150 micron, weight 500 g, purity 97.5% | |||
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647780 | wafer (single side polished), <100>, N-type, contains phosphorus as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm | |||
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647543 | wafer (single side polished), <111>, N-type, contains no dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm | |||
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912409 | 1 micron silicon particles in crosslinked conducting polyanaline matrix | |||
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GF69448450 | powder, 45 max. part. size (micron), weight 50 g, purity 99.95% | |||
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647772 | wafer (single side polished), <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 3 in. × 0.5 mm | |||
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GF71817543 | sheet, 10x10mm, thickness 0.6mm, single crystal, -100, 100% | |||
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GF46525620 | powder, max. particle size 45 micron, weight 50 g, high purity 99.998% | |||
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647799 | wafer (single side polished), contains phosphorus as dopant, <111>, N-type, diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm | |||