901268

Sigma-Aldrich

Pure Strip

stabilized sulfuric acid-hydrogen peroxide compound

NACRES:
NA.23

Nivel de calidad

100

formulario

liquid

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Descripción general

Pure Strip is suitable for stripping both positive and negative photoresists in addition to other organic compounds in a variety of semiconductor, photomask, and IC photolithography compounds. High yields can be achieved due to the high purity/low particulate composition of Pure Strip.
Advantages Pure Strip include negligible attack on exposed metal surfaces, including aluminum, vs. other acidic formulations, residue-free rinsing, and extended bath life (minimum of five days at room temperature). Pure Strip is ready to use and requires no mixing.

Aplicación

Pure Strip may be used at room temperature or at elevated temperature. Higher temperatures will increase the activity but decrease the bath life (1 day at 60-80 °C). Substrates are stripped of photoresist and cleaned effectively with minimal attack on aluminum (approximately 35 Angstroms/minute at room temperature) and negligible attack on other metals and alloys such as titanium, Ti-tungsten, copper, tantalum silicide, and ITO.

pictogramas

Corrosion

Palabra de señalización

Danger

Frases de peligro

RIDADR

UN 1830 8 / PGII

WGK Alemania

WGK 3

Punto de inflamabilidad F

Not applicable

Punto de inflamabilidad C

Not applicable

Certificado de Análisis

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