Merck

685070

Sigma-Aldrich

聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-并噻吩]

99.9%

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别名:
F8T2, 聚(9,9-二辛基芴-alt-并噻吩), 聚[[2,2′-并噻吩]-5,5′-二基(9,9-二辛基-9H-芴-2,7-二基)]
线性分子式:
(C37H44S2)n(C8H9)2

质量水平

检测方案

99.9%

形式

powder

分子量

average Mn >20,000

荧光

λex 400 nm; λem 497 nm in chloroform (at Mn = 20,000)

半导体性质

P-type (mobility=5×10−3 cm2/V·s)

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semiconductor properties

P-type (mobility=5×10−3 cm2/V·s)

semiconductor properties

P-type (mobility=4×10−3 cm2/V·s)

semiconductor properties

-

semiconductor properties

-

Quality Level

100

Quality Level

100

Quality Level

100

Quality Level

100

form

powder

form

powder

form

-

form

powder

mol wt

average Mn >20,000

mol wt

average Mn ≤25000

mol wt

-

mol wt

average Mw >30,000 by GPC

fluorescence

λex 400 nm; λem 497 nm in chloroform (at Mn = 20,000)

fluorescence

λex 447 nm; λem 530-560 nm in chloroform

fluorescence

λex 362 nm; λem 409 nm in chloroform

fluorescence

-

一般描述

F8T2是一种氟化半导体聚合物,可用作具有0.02cm2V-1s-1迁移率的一种空穴传输层。它在真空和紫外线环境中非常稳定。它的液晶性使其能够在有机薄膜上形成一种自组装纳米结构。
通常可溶于THF、二氯甲烷或甲苯。(c = 1%,外观通常可能是混浊的)。
聚合物是用3,5-二甲基苯封端的。

应用

F8T2主要用于制造光电子和基于能量装置的活动层,如有机场效应晶体管(OFET)、太阳能电池、发光二极管(LED)和电子气体传感器。

储存分类代码

11 - Combustible Solids

WGK

WGK 3

闪点(°F)

Not applicable

闪点(°C)

Not applicable


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T1503
货号
-
25G
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Photovoltaic properties and charge dynamics in nanophase-separated F8T2/PCBM blend films.
Yasuda T, et al.
J. Photopolym. Sci. Technol., 25(3), 271-276 (2012)
Structural ordering in F8T2 polyfluorene thin film transistors.
Organic Field Effect Transistors II, 5217, 35-43 (2003)
Preparation of active layer of solar cells device by F8T2 blending with PCBM
CPMT Symposium Japan, 2010 IEEE, 3(13), 1-4 (2010)
Morana, M.; Bret, G.; Brabec, C.
Applied Physics Letters, 87, 153511-153511 (2005)
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商品

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