コンテンツへスキップ
Merck
ホームApplications材料科学・エンジニアリング化学気相成長(CVD)

化学気相成長(CVD)

逐次の自己限定的表面反応に基づく分子層堆積(MLD)法の模式図。

化学気相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition)は、気相中での制御された化学反応によって基板表面に固体材料の薄膜をエピタキシャルに堆積する方法です。CVDは、半導体、シリコンウェハ調製、プリンタブル太陽電池など、エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、触媒、エネルギー用途で広く利用されています。   

CVDは、汎用的かつ迅速な薄膜堆積法であり、複雑な形状や起伏のある表面であっても均一な厚さで成膜ができ、組成や厚さが高い精度で制御されたコーティングを可能にします。さらに、パターン形成された基板上に大面積で選択的なCVDが可能です。CVDは、金属(シリコン、タングステンなど)、炭素(グラフェン、ダイアモンドなど)、ヒ化物、炭化物、窒化物、酸化物、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC:transition metal dichalcogenide)のような2次元(2D)材料や薄膜のボトムアップ合成に対して、拡張性が高く、制御可能で、費用効率の高い成長法です。高品位の薄膜を合成するためには、高純度の金属前駆体(有機金属、ハロゲン化物、アルキル、アルコキシド、ケトナート)が必要です。

薄膜層の組成と形態は、選択した前駆体、基板、温度、チャンバー圧、キャリアガス流量、供給源の材料の量と比率、および供給源と基板の距離に依存して変化します。CVDの一種である原子層堆積法(ALD:atomic layer deposition)は、基板上の前駆体の逐次的な自己限定的反応によって、より制御された薄膜の作製を可能とします。



注目のカテゴリー

液相および気相成長は、薄膜やコーティング形成に用いられる2つの合成経路です。
液相・気相成長用前駆体

高品質の液相・気相成長用前駆体は、エレクトロニクスや光学から、太陽電池、高性能コーティングまでの高度で精密な薄膜形成に最適です。

製品の購入
白色背景に並べられた、各種色の高純度塩の6つの小さな結晶の画像。塩および対応する化学式は、左から右の順に以下のとおり。1) 塩化マグネシウム(MgCl2):白色塩、2) 塩化カルシウム(CaCl2):桃色塩、3) 塩化マンガン(II)(MnCl2):微黄白色塩、4) 塩化鉄(III)(FeCl3):橙茶色塩、5) 塩化ニッケル(II)(NiCl2):緑色塩、6) 塩化銅(II)(CuCl2):青色塩。各化学式は、対応する結晶の下に黒文字で記載。
高純度無機塩類

広範囲の高純度無機塩類を、無水塩と塩水和物の形態で提供しています。その純度(trace metals basis)は、誘導結合プラズマ質量分析法(ICP-MS:inductively coupled plasma mass spectrometry)または誘導結合プラズマ発光分光法(ICP-OES:inductively coupled plasma optical emission spectrometry)による測定で99.9 %~99.999 %の範囲です。

製品の購入

関連資料

技術資料・プロトコルの検索


ログインして続行

続きを確認するには、ログインするか、新規登録が必要です。

アカウントをお持ちではありませんか?