Merck

357391

Sigma-Aldrich

炭化ケイ素

−400 mesh particle size, ≥97.5%

ログインto View Organizational & Contract Pricing

別名:
Carbon silicide, Carborundum, Methanidylidynesilanylium, Silicon monocarbide
化学式:
SiC
CAS番号:
分子量:
40.10
EC Number:
MDL番号:
PubChem Substance ID:
NACRES:
NA.23

詳細

hexagonal phase

品質水準

アッセイ

≥97.5%

形状

powder

粒径

−400 mesh

mp

2700 °C (lit.)

密度

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

SMILES string

[C-]#[Si+]

InChI

1S/CSi/c1-2

InChI key

HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N

類似した製品をお探しですか? Visit 製品比較ガイド

関連するカテゴリー

類似品目との比較

比較内容をすべて表示

相違点を表示

1 of 4

当該品目
378097776742594911
Silicon carbide −400 mesh particle size, ≥97.5%

Sigma-Aldrich

357391

炭化ケイ素

Silicon carbide -200 mesh particle size

Sigma-Aldrich

378097

炭化ケイ素

Silicon carbide nanofiber, D <2.5 μm, L/D ≥ 20, 98% trace metals basis

Sigma-Aldrich

776742

炭化ケイ素

Silicon carbide nanopowder, <100 nm particle size

Sigma-Aldrich

594911

炭化ケイ素

form

powder

form

powder

form

nanofiber

form

nanopowder

particle size

−400 mesh

particle size

-200 mesh

particle size

-

particle size

<100 nm

mp

2700 °C (lit.)

mp

2700 °C (lit.)

mp

2700 °C (lit.)

mp

2700 °C (lit.)

density

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

density

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

density

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

density

3.22 g/mL at 25 °C (lit.)

description

hexagonal phase

description

-

description

-

description

-

詳細

炭化ケイ素(SiC)は、ケイ素と炭素の2層が密に重層した半導電性材料です。優れた熱機械的特性と電気的特性を有するため、さまざまなエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスの用途で役立ちます。

アプリケーション

SiCは主に以下のような用途に使用されています。微細構造、 オプトエレクトロニクス機器 (発光ダイオード(LED)、UV検出器)、 高温エレクトロニクス(核エレクトロニクス)、 および高周波数機器などの用途のベース材料として使用されています。

保管分類コード

11 - Combustible Solids

WGK

nwg

引火点(°F)

Not applicable

引火点(℃)

Not applicable

個人用保護具 (PPE)

dust mask type N95 (US), Eyeshields, Gloves


適用法令

試験研究用途を考慮した関連法令を主に挙げております。化学物質以外については、一部の情報のみ提供しています。 製品を安全かつ合法的に使用することは、使用者の義務です。最新情報により修正される場合があります。WEBの反映には時間を要することがあるため、適宜SDSをご参照ください。

労働安全衛生法名称等を表示すべき危険物及び有害物

名称等を表示すべき危険物及び有害物

労働安全衛生法名称等を通知すべき危険物及び有害物

名称等を通知すべき危険物及び有害物

Jan Code

357391-250G:4.548173938554E12
357391-1KG:4.548173938547E12


試験成績書(COA)

製品のロット番号・バッチ番号を入力して、試験成績書(COA) を検索できます。ロット番号・バッチ番号は、製品ラベルに「Lot」または「Batch」に続いて記載されています。

Already Own This Product?

Documents related to the products that you have purchased in the past have been gathered in the Document Library for your convenience.

Visit the Document Library

Difficulty Finding Your Product Or Lot/Batch Number?

ウェブサイトの表示では、製品番号に容量/数量が連結しています(例:T1503-25G)。確認してください 製品番号欄には製品番号のみを入力してください (: T1503).

T1503
製品番号
-
25G
容量/数量

その他の例:

705578-5MG-PW

PL860-CGA/SHF-1EA

MMYOMAG-74K-13

1000309185

以下のように入力してください 1.000309185)

ご不明な点がございましたら、お気軽にお問い合わせくださいテクニカルサービス お問い合わせ

ロット番号とバッチ番号は、製品ラベルで「Lot」または「Batch」の言葉に続いて記載されています。

Aldrich製品

  • もしTO09019TOなどのロット番号を見つけた場合は、最初の2文字を除いたロット番号09019TOを入力します。

  • もし05427ES-021などの充てんコード付きロット番号を見つけた場合は、充てんコードの-021を除いたロット番号05427ESを入力します。

  • もしSTBB0728K9などの充てんコード付きロット番号を見つけた場合は、充てんコードのK9を除いたロット番号STBB0728を入力します。

お探しのものが見つかりませんか?

オンラインでCOAを入手できない場合があります。検索してもCOAが見つからない場合は、リクエストできます。

COAをリクエストする

この製品を見ている人はこちらもチェック

Slide 1 of 3

1 of 3

Silicon carbide powder, max. particle size 75 micron, weight 200&#160;g, purity 98.7%

GF19379920

Silicon carbide

Silicon carbide - hot-pressed granule, 1&#160;mm nominal granule size, weight 10&#160;g

GF33061137

Silicon carbide - hot-pressed

Silicon carbide powder, mean particle size 0.1-1 micron, weight 200&#160;g, purity 99%

GF09680160

Silicon carbide

Emanuele Rizzuto et al.
Sensors (Basel, Switzerland), 19(23) (2019-11-27)
In this paper, the characterization of the main techniques and transducers employed to measure local and global strains induced by uniaxial loading of murine tibiae is presented. Micro strain gauges and digital image correlation (DIC) were tested to measure local
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications
Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (2014)
Properties of silicon carbide (1995)
A high-density, high-efficiency, isolated on-board vehicle battery charger utilizing silicon carbide power devices
Whitaker B, et al.
IEEE Transactions on Power Electronics, 29(5), 2606-2617 (2013)
Optical polarization of nuclear spins in silicon carbide
Falk AL, et al.
Physical Review Letters, 114(24), 247603-247603 (2015)

資料

Advanced Inorganic Materials for Solid State Lighting

酸化物、酸窒化物、窒化物などに少量の希土類や遷移金属元素をドープして合成した高性能無機材料を蛍光体とした、固体照明デバイスについて解説しました。

ライフサイエンス、有機合成、材料科学、クロマトグラフィー、分析など、あらゆる分野の研究に経験のあるメンバーがおります。.

テクニカルサービス連絡先