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Deposición química de vapor

Proceso de reacciones secuenciales durante la deposición química de vapor de capa atómica (ALCVD).

La deposición química de vapor (CVD) es un método para depositar epitaxialmente películas de materiales sólidos en la superficie de un sustrato durante la fase de vapor de una reacción química controlada. La CVD, también llamada deposición de película fina, se utiliza predominantemente para aplicaciones electrónicas, optoelectrónicas, catalíticas y energéticas, como los semiconductores, la preparación de obleas de silicio y células solares imprimibles.

La técnica de CVD es un método versátil y rápido para sustentar el crecimiento de la película, permitiendo la generación de revestimientos puros con grosor uniforme y porosidad controlada, incluso en superficies complicadas o contorneadas. Además, es posible la CVD selectiva y de gran área en sustratos estampados. La CVD proporciona un método de crecimiento escalable, controlable y rentable para la síntesis ascendente de materiales bidimensionales (2D) o de películas delgadas como metales (por ejemplo, silicio, volframio), carbono (por ejemplo, grafeno, diamante), arseniuros, carburos, nitruros, óxidos y dicalcogenuros de metales de transición (TMDC). Para sintetizar películas finas bien ordenadas, se requieren precursores metálicos de gran pureza (organometálicos, haluros, alquilos, alcóxidos y cetonatos).

La composición y la morfología de las capas varían en función de los precursores y el sustrato seleccionados, de la temperatura, la presión de la cámara, el caudal de gas portador, la cantidad y la relación de los materiales de origen y la distancia fuente-sustrato para el proceso de CVD. La deposición de capa atómica (ALD), una subclase de CVD, puede proporcionar un mayor control de la deposición de película fina a través de reacciones secuenciales autolimitantes de los precursores en un sustrato.


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