Przejdź do
647705
Silicon
wafer, <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.3 mm
Cechy związane ze zrównoważonym rozwojem
Synonim(y):
Silicon element
Wybierz wielkość
| Rozmiar/SKU | Dostępność | Cena netto |
|---|---|---|
1 ea | Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności | 719,00 zł |
Informacje o tej pozycji
719,00 zł
Quality Segment
form
crystalline (cubic (a = 5.4037)), wafer
contains
boron as dopant
sustainability
Sustainability features
diam. × thickness
2 in. × 0.3 mm
bp
2355 °C (lit.)
mp
1410 °C (lit.)
density
2.33 g/mL at 25 °C (lit.)
semiconductor properties
<111>, P-type
SMILES string
[Si]
InChI
1S/Si
InChI key
XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N
General description
1 of 1
Ta pozycja | |||
|---|---|---|---|
| description wafer, <111>, P-type, contains boron as dopant, diam. × thickness 2 in. × 0.3 mm | description nanoparticles, 40 nm avg. part. size, ≥99% trace metals basis | description disks, 13mm, thickness 0.38mm, single crystal, 100% | description disks, 15.9mm, thickness 0.38mm, single crystal, n-type, 100% |
| form wafer, crystalline (cubic (a = 5.4037)) | form powder or crystals, nanoparticles | form foil | form foil |
| mp 1410 °C (lit.) | mp 1410 °C (lit.) | mp 1410 °C (lit.) | mp 1410 °C (lit.) |
| density 2.33 g/mL at 25 °C (lit.) | density 2.33 g/mL at 25 °C (lit.) | density 2.33 g/mL at 25 °C (lit.) | density 2.33 g/mL at 25 °C (lit.) |
| Quality Level 100 | Quality Level 100 | Quality Level - | Quality Level - |
| bp 2355 °C (lit.) | bp 2355 °C (lit.) | bp 2355 °C (lit.) | bp 2355 °C (lit.) |
| contains boron as dopant | contains - | contains - | contains - |
Still not finding the right product?
Explore all of our products under Silicon
PPE (środki ochrony indywidualnej)
Eyeshields, Gloves, type N95 (US)
Klasa składowania
11 - Combustible Solids
Co się dzieje?
nwg
Wybierz jedną z najnowszych wersji:
Masz już ten produkt?
Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.