The S20 device is designed for biosensing, while the S10 model is recommended for detecting other chemicals.
Przejdź do
Wybierz wielkość
| Rozmiar/SKU | Dostępność | Cena netto |
|---|---|---|
1 ea | Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności | 2730,00 zł 2320,50 zł |
Informacje o tej pozycji
2320,50 zł
Cena katalogowa2730,00 złZaoszczędź 15%description
Absolute Maximum Ratings
Maximum gate-source voltage: ± 50 V
Maximum temperature rating: 150 °C
Maximum drain-source current density: 107 A/cm2, Chip dimensions: 10 mm x 10 mm, Chip thickness: 675 μm, Dirac point: < 50 V
Yield >75%, Encapsulation: 50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4, Gate oxide materials: 90 nm SiO2, Graphene field-effect mobility: >1000 cm2/V·s, Monolayer CVD grown Graphene based 2-probe field effect transistors (FET)., Number of devices per chip: 12, Resistivity of substrate: 1-10 Ω·cm
Metallization: Chromium/Gold-Palladium 2/50 nm
General description
The graphene FET-S20 chip is designed for measurements in liquid medium. This chip provides 12 graphene devices, with encapsulation on the metal pads to avoid degradation and reduce leakage currents, and the probe pads located near the periphery of the chip. It also includes a non-encapsulated electrode at the center of the chip, which allows liquid gating without the need of an external gate electrode.
Application
Features and Benefits
- State-of-the-art GFETs utilizing consistently high-quality CVD monolayer graphene
- Metallic contacts and metal/graphene interface are encapsulated to avoid degradation and reduce leakage current in liquid environment
- Perfect platform device for new sensor research and development
- 12 individual GFETs per chip
- A central gate electrode
1 of 1
Ta pozycja | |||
|---|---|---|---|
| description S20 | description S10 | description L × W 1 cm × 1 cm, avg. no. of layers, 1 | description 1 in x 1 in on copper foil, avg. no. of layers, 1 |
| description Graphene field-effect mobility: >1000 cm2/V·s, Gate oxide materials: 90 nm SiO2, Encapsulation: 50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4, Absolute Maximum Ratings | description Gate Oxide material: SiO2, Resistivity of substrate: 1-10 Ω·cm, Graphene field-effect mobility: >1000 cm2/V·s, Gate Oxide thickness: 90 nm, Residual charge carrier density: <2 x 1012 cm-2, Maximum gate-source voltage: ± 50 V | description - | description FET Electron Mobility on Al2O3: 2;000 cm2/V·s, Grain size: Up to 10 μm, Coverage: >95%, Transparency: >97%, FET Electron Mobility on SiO2/Si (expected): 4; 000 cm2/V·s, Number of graphene layers: 1 |
Still not finding the right product?
Explore all of our products under Graphene FET chip
Klasa składowania
11 - Combustible Solids
Co się dzieje?
nwg
Temperatura zapłonu (°F)
Not applicable
Temperatura zapłonu (°C)
Not applicable
Wykazy regulacyjne
Wykazy regulacyjne dotyczą głównie produktów chemicznych. Można w nich podawać ograniczoną liczbę informacji na temat produktów niechemicznych. Brak wpisu oznacza, że żaden ze składników nie znajduje się w wykazie. Użytkownik odpowiada za zagwarantowanie bezpiecznego i zgodnego z prawem stosowania produktu.
7440-47-3
Wybierz jedną z najnowszych wersji:
Masz już ten produkt?
Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.
-
Can the GFET-S20 Graphene FET chip be used in air or vacuum environments for detecting other chemicals?
1 answer-
Helpful?
-



