Przejdź do zawartości
Merck

Przejdź do

GRFETS20

Graphene FET chip

S20

Synonim(y):

2-probe FET device, 2-probe Graphene FET sensor, Chemical gated Graphene FET, GFET S20, Graphene field effect transistor chip S20

Zaloguj się, aby wyświetlić ceny organizacyjne i kontraktowe.

Wybierz wielkość

Zmień widok
Rozmiar/SKUDostępnośćCena netto
1 ea
Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności
2730,00 zł
2320,50 zł

Informacje o tej pozycji

NACRES:
NA.23
UNSPSC Code:
43211915

2320,50 zł

Cena katalogowa2730,00 złZaoszczędź 15%
Promocja dostępna wyłącznie online

Skontaktuj się z Obsługą Klienta, aby uzyskać informacje na temat dostępności

​
Złóż zamówienie na produkt na zamówienie
Pomoc techniczna
Potrzebujesz pomocy? Nasz zespół doświadczonych naukowców chętnie Ci pomoże.
Pozwól nam pomóc


description

Absolute Maximum Ratings
Maximum gate-source voltage: ± 50 V
Maximum temperature rating: 150 °C
Maximum drain-source current density: 107 A/cm2, Chip dimensions: 10 mm x 10 mm, Chip thickness: 675 μm, Dirac point: < 50 V
Yield >75%, Encapsulation: 50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4, Gate oxide materials: 90 nm SiO2, Graphene field-effect mobility: >1000 cm2/V·s, Monolayer CVD grown Graphene based 2-probe field effect transistors (FET)., Number of devices per chip: 12, Resistivity of substrate: 1-10 Ω·cm
Metallization: Chromium/Gold-Palladium 2/50 nm

General description

Device configuration:

The graphene FET-S20 chip is designed for measurements in liquid medium. This chip provides 12 graphene devices, with encapsulation on the metal pads to avoid degradation and reduce leakage currents, and the probe pads located near the periphery of the chip. It also includes a non-encapsulated electrode at the center of the chip, which allows liquid gating without the need of an external gate electrode.
Graphene FET chip (GFET-S20 chip) is a graphene based field effect transistor which can be coated on silicon substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition (CVD). It also has similar gate insulators in the source and drain.

Application

  • Bioelectronics
  • FET based sensor research for active materials deposited on graphene
  • Clinical applications
  • Biosensors
GFET-S20 chip can be used as a biosensor and a chemical sensor for biological applications.

Features and Benefits

Device Features:

  • State-of-the-art GFETs utilizing consistently high-quality CVD monolayer graphene
  • Metallic contacts and metal/graphene interface are encapsulated to avoid degradation and reduce leakage current in liquid environment
  • Perfect platform device for new sensor research and development
  • 12 individual GFETs per chip
  • A central gate electrode
Ta strona może zawierać tekst przetłumaczony maszynowo.

Porównaj podobne pozycje

Wyświetl pełne porównanie

Pokaż różnice

1 of 1

Ta pozycja
GRFETS10GRTRANSFER10799009
description

S20

description

S10

description

L × W 1 cm × 1 cm, avg. no. of layers, 1

description

1 in x 1 in on copper foil, avg. no. of layers, 1

description

Graphene field-effect mobility: >1000 cm2/V·s, Gate oxide materials: 90 nm SiO2, Encapsulation: 50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4, Absolute Maximum Ratings
Maximum gate-source voltage: ± 50 V
Maximum temperature rating: 150 °C
Maximum drain-source current density: 107 A/cm2, Chip dimensions: 10 mm x 10 mm

description

Gate Oxide material: SiO2, Resistivity of substrate: 1-10 Ω·cm, Graphene field-effect mobility: >1000 cm2/V·s, Gate Oxide thickness: 90 nm, Residual charge carrier density: <2 x 1012 cm-2, Maximum gate-source voltage: ± 50 V
Maximum temperature rating: 150 °C
Maximum drain-source current density: 107 A/cm2, Yield >75%, Monolayer CVD grown Graphene based field effect transistors (FET) S10, Metallization: Chromium 2 nm/Gold 50 nm, Dirac point:< 50 V

description

-

description

FET Electron Mobility on Al2O3: 2;000 cm2/V·s, Grain size: Up to 10 μm, Coverage: >95%, Transparency: >97%, FET Electron Mobility on SiO2/Si (expected): 4; 000 cm2/V·s, Number of graphene layers: 1


Still not finding the right product?

Explore all of our products under Graphene FET chip


Klasa składowania

11 - Combustible Solids

Co się dzieje?

nwg

Temperatura zapłonu (°F)

Not applicable

Temperatura zapłonu (°C)

Not applicable


Wykazy regulacyjne

Wykazy regulacyjne dotyczą głównie produktów chemicznych. Można w nich podawać ograniczoną liczbę informacji na temat produktów niechemicznych. Brak wpisu oznacza, że żaden ze składników nie znajduje się w wykazie. Użytkownik odpowiada za zagwarantowanie bezpiecznego i zgodnego z prawem stosowania produktu.

7440-47-3

CAS No.


Wybierz jedną z najnowszych wersji:

Certyfikaty analizy (CoA)

Lot/Batch Number

It looks like we've run into a problem, but you can still download Certificates of Analysis from our Dokumenty section.

Proszę o kontakt, jeśli potrzebna jest pomoc Obsługa Klienta

Masz już ten produkt?

Dokumenty związane z niedawno zakupionymi produktami zostały zamieszczone w Bibliotece dokumentów.

Odwiedź Bibliotekę dokumentów



Questions

  1. Can the GFET-S20 Graphene FET chip be used in air or vacuum environments for detecting other chemicals?

    1 answer
    1. The S20 device is designed for biosensing, while the S10 model is recommended for detecting other chemicals.

      Helpful?

Reviews

No rating value

Active Filters