Prekursor Larutan & Pengendapan Uap
Kami menawarkan berbagai macam bahan kimia anorganik dan organologam dengan kemurnian tinggi yang dirancang khusus untuk proses solusi, Deposisi Uap Kimia (CVD), Deposisi Uap Kimia Logam-Organik (MOVCVD), dan Deposisi Lapisan Atom (ALD). Bahan-bahan kami berkualitas tinggi, dengan kemurnian mulai dari 99% hingga 99,9999%. Pilihan prekursor deposisi yang beragam ini dirancang untuk memenuhi semua kebutuhan penelitian Anda, baik untuk eksperimen skala laboratorium, proyek skala pilot, atau manufaktur. Portofolio komprehensif kami meliputi:
|
|
Produk
Prekursor Deposisi Larutan
Penerapan prekursor deposisi larutan, yang biasa disebut sebagai prekursor sol-gel, telah berkembang secara signifikan untuk mencakup berbagai proses kimia. Metode ini sekarang didefinisikan secara luas sebagai pembuatan bahan padat, termasuk oksida logam, struktur nano, keramik padat atau kaca, dan film tipis yang berasal dari larutan prekursor. Prekursor pengendapan larutan kami direkayasa untuk memberikan konsistensi dan keandalan yang tak tertandingi dengan mengontrol jejak pengotor logam secara cermat. Kami memahami bahwa menjaga kemurnian tinggi dalam prekursor sol-gel sangat penting untuk mencapai sifat dan fungsionalitas yang diinginkan dari bahan akhir.
Kami menawarkan 55 logam dasar yang berbeda, yang menampilkan:
- Logam dengan kemurnian sangat tinggi mulai dari 99,9% hingga 99,999% untuk kinerja penelitian yang unggul.
- Fungsi yang tersedia seperti asetat, asetilasetonat, tert-butoksida, isopropoksida, fenoksida, etoksida, tri-sek-butoksida, metoksida, dan 2-etilheksanoat.
- Kualitas yang konsisten dengan spesifikasi komprehensif yang disesuaikan untuk berbagai aplikasi.
- Kelarutan yang tinggi dalam pelarut yang sesuai untuk memfasilitasi pembuatan larutan homogen untuk proses sol-gel.
Deposisi Uap Kimia (CVD)/Deposisi Lapisan Atmosfer (ALD)
Prekursor Atomic Layer Deposition (ALD) dan Chemical Vapor Deposition (CVD) memainkan peran penting dalam fabrikasi lapisan logam, semikonduktor, dan bahan isolasi setipis nanometer. Proses-proses ini sangat penting untuk elektronik canggih, panel surya yang efisien, perangkat memori, chip komputer, dan berbagai aplikasi berkinerja tinggi.
Kami menyadari bahwa memilih prekursor yang sesuai untuk CVD dan ALD sangat penting untuk menghasilkan film tipis berkualitas tinggi. Bahan kimia prekursor mempengaruhi komposisi, struktur, dan fungsi film. Faktor-faktor penting seperti kemurnian, volatilitas, stabilitas termal, dan reaktivitas dengan permukaan substrat harus dievaluasi dengan cermat, yang semuanya memengaruhi kristalinitas, ketebalan, dan morfologi permukaan film.
Untuk memenuhi kebutuhan ini, kami menyediakan prekursor dengan kemurnian tinggi (99% hingga 99,999% jejak logam) yang dirancang untuk meminimalkan pengotor yang dapat memengaruhi sifat film. Prekursor kami diformulasikan agar stabil secara termal pada suhu deposisi dan reaktif dengan substrat, memastikan deposisi film yang optimal. Dengan kualitas bahan yang unggul ini, kami berkomitmen untuk mendukung kebutuhan penelitian dan aplikasi spesifik Anda, sehingga Anda dapat menghasilkan film tipis yang presisi dan berkualitas tinggi.
Prekursor Deposisi Uap Fisik (PVD)
Deposisi Uap Fisik (PVD) adalah teknik yang menggunakan bahan yang diuapkan dari sumber padat untuk mendepositkan film tipis ke substrat. Kami menyediakan target sputtering dengan kemurnian tinggi, pelet, foil logam, dan siput penguapan yang dirancang untuk berbagai aplikasi PVD. Aplikasi ini mencakup perangkat mikroelektronik, elektroda baterai, penghalang difusi, dan pelapis optik, yang memastikan hasil berkinerja tinggi di berbagai industri.
Prekursor yang Dikemas untuk sistem Deposisi
Kami menawarkan prekursor ALD berkualitas tinggi yang dikemas sebelumnya dengan aman dan nyaman dalam silinder baja yang kuat, untuk memastikan kompatibilitas dengan berbagai sistem pengendapan. Setiap silinder dilengkapi dengan katup presisi, memungkinkan aliran material yang terkendali ke dalam ruang pengendapan, sehingga meningkatkan efisiensi dan keamanan operasional.
Aplikasi
CVD adalah teknik terdepan dalam nanoelektronika, yang memungkinkan sintesis bahan nano berkualitas tinggi yang penting untuk meningkatkan kinerja dan miniaturisasi perangkat elektronik. CVD banyak digunakan untuk memproduksi tabung nano karbon (CNT), tabung nano boron nitrida (BNNT), graphene, dan oksida logam seperti SnO₂ dan ZnO, yang sangat penting untuk mengembangkan perangkat yang efisien dan sangat kecil: Dikalcogenida logam transisi dua dimensi (2D) (TMD) sangat penting karena sifat elektronik dan optiknya yang luar biasa, dengan CVD memainkan peran kunci dalam menumbuhkan film tipis berkualitas tinggi yang mengoptimalkan kinerja perangkat, yang dipengaruhi oleh faktor-faktor seperti jumlah lapisan, ukuran butiran, orientasi, dan morfologi. CVD berperan penting dalam menumbuhkan bahan-bahan ini secara tepat, memastikan kinerja yang optimal dalam berbagai aplikasi. Selain itu, bahan nano berbasis silikon karbida (SiC) mendapatkan daya tarik karena sifat mekanik, termal, dan listriknya yang unggul, cocok untuk berbagai aplikasi. Kemajuan terbaru dalam proses CVD dan sol-gel telah semakin meningkatkan fabrikasi struktur nano SiC, yang mengarah pada perangkat berkinerja tinggi seperti transistor dan sensor yang mampu beroperasi dalam kondisi ekstrem.
Ringkasnya, CVD merupakan teknik penting yang mendorong kemajuan dalam nanoelektronika, energi terbarukan, dan teknologi nano. CVD memungkinkan pembuatan film tipis dan struktur nano yang tepat, yang sangat penting untuk sel surya berkinerja tinggi, perangkat penyimpanan energi, dan komponen sel bahan bakar dalam energi terbarukan. Dalam bidang elektronik, CVD memfasilitasi pertumbuhan bahan untuk transistor, sensor, dan perangkat mikro yang canggih. Selain itu, CVD memainkan peran penting dalam mensintesis material nano untuk aplikasi seperti pengiriman obat dan material inovatif. Dengan mengatasi tantangan dalam sintesis dan integrasi material, CVD membuka jalan bagi inovasi teknologi masa depan.
Sumber Daya Terkait
- Brochure: High-Purity Materials for Molten Salt Applications
We offer a wide range of high-purity, low moisture salts in both powdered and beaded forms, with trace metal purities ranging from 99.9% to 99.999% as measured by ICP-MS or coupled ICP-OES.
- Brochure: Deposition & Semiconductor Materials
Explore our broad range of high-quality and dependable thin film deposition precursor and semiconductor materials as per your chosen method and application.
- High Purity Metalorganic Precursors for Concentrator Photovoltaic Technologies Device Fabrication
High Purity Metalorganic Precursors for CPV Device Fabrication
- Atomic Layer Deposition (ALD)
Atomic layer deposition (ALD) showcases innovation in novel structure synthesis, area-selective deposition, low-temperature deposition, and more.
- Group 11 Thin Films by ALD
Copper metal deposition processes are an essential tool for depositing interconnects used in microelectronic applications, giving group 11 (coinage metals: Copper, Silver, and Gold) an important place in atomic layer deposition (ALD) process development.
- Few Monolayer Atomic Layer Deposition (ALD) on Surfaces and Interfaces for Energy Applications
Few Monolayer Atomic Layer Deposition (ALD) on Surfaces and Interfaces for Energy Applications
- Silicon Nitride Atomic Layer Deposition: A Brief Review of Precursor Chemistry
atomic layer deposition (ALD), microelectronics, Mo:Al2O3 films, nanocomposite coating, photovoltaics, semiconductor devices, W:Al2O3 films, composite films, layer-by-layer
Untuk melanjutkan membaca, silakan masuk atau buat akun.
Tidak Punya Akun?Untuk kenyamanan pelanggan kami, halaman ini telah diterjemahkan melalui terjemahan mesin. Kami telah berupaya untuk memastikan bahwa terjemahan mesin ini memberikan terjemahan yang akurat. Namun, terjemahan mesin tidaklah sempurna. Jika Anda tidak puas dengan konten yang diterjemahkan oleh mesin, silakan lihat versi bahasa Inggris.