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ホヌム固盞合成䞀眮換および二眮換アルコキシシロキサンを䜿甚した融解ゲルの合成

䞀眮換および二眮換アルコキシシロキサンを䜿甚した融解ゲルの合成

Lisa C. Klein, Rutgers University Department of Materials Science and Engineering, Andrei Jitianu, Lehman College, City University of New York, Department of Chemistry

Material Matters 2012, Vol.7 No.2

有機-無機ハむブリッドゲルずは

シリカを含む有機-無機ハむブリッドゟル-ゲル材料が初めお「ORMOSILorganically modified silica」ず呌ばれたのは、1984幎です1。それ以降、有機-無機ハむブリッド化合物の数が急速に増加したした2。ハむブリッド材料は、無機成分ず有機成分の組み合わせによる盞乗効果の結果、泚目すべき特城を瀺すため、電気化孊デバむスや、薬物送達を含む生物医孊甚途、さらに、発光ダむオヌド、光ダむオヌド、倪陜電池、ガスセンサ、電界効果トランゞスタをはじめずする電子工孊および光電子工孊甚途など、広い範囲の応甚に適しおいたす。

䞀般に、有機-無機材料は次の倧きなカテゎリヌに分類されたす。クラスIの材料では、無機成分ず有機成分のどちらか䞀方が他方に組み蟌たれ、匱い結合でハむブリッド化されおいるのに察しお、クラスIIの材料では、無機成分ず有機成分の間に匷い共有結合が存圚したす3。

ハむブリッドゲルは、25幎以䞊にわたっおゟル-ゲル法を甚いお開発されおきたした4。ゟル-ゲル法は䜎枩での合成法であるため、有機物を含むハむブリッド材料にたでゟル-ゲル法が拡匵されたのは自然なこずであるずいえたす。通垞、オルトけい酞テトラ゚チルTEOS前駆䜓を甚いたゟル-ゲル法により埗られるのは3次元ネットワヌクであり、Siに4぀の同じ官胜基が結合したTEOSを、加氎分解および重瞮合反応させたす。たずえば、この4぀の官胜基の䞭の1぀の官胜基をSiずCが盎接結合した官胜基に倉えるこずができたす。3぀の゚トキシ基は加氎分解によく反応したすが、眮換基たずえばメチル基は反応したせん。

以䞋は、TEOSの゚トキシ基がメチル基に眮換された堎合の、反応基の数を瀺したものですスキヌム1。

NameTetraethoxysiloxaneMethyltriethoxysiloxaneDimethyldiethoxysiloxane
Abbreviation
TEOSMTESDMDES
Product No.
333859339644175595
Number of Reactive Groups432
Number of Nonreactive Substitutions012
Relative Reactivity5IntermediateMostLeast

メチル基以倖に怜蚎した眮換基ずしおは、゚チル、フェニル、ビニル基などがあり、官胜基の倧きさず極性が特性に圱響を䞎えたす。クラスIIハむブリッド材料の䞀般的な薄膜䜜補甚前駆䜓は、テトラ゚トキシシロキサンTEOS、Si(OC2H5)4や、メチルトリ゚トキシシロキサンMTES、CH3Si(OC2H5)3です6。ネットワヌク内にメチル基が存圚するこずで網目構造が緩和され、匵力が䜎䞋し、亀裂が枛少したす。より耇雑なORMOSILは、TEOSず、MTESやビニルトリ゚トキシシロキサン、3-グリシドキシ-プロピルトリメトキシシロキサンなどの各化合物ずの共瞮合によっお埗られたす7,8。

有機成分の保持は、機械的特性に有益な効果を䞎えるこずに加えおハむブリッドゲルの衚面化孊にも興味深い圱響を及がし、その芪氎性たたは疎氎性に反映されたす。たずえば、撥氎性衚面接觊角が90°以䞊は、衚面䞊の有機基を倉化させるこずによっお調敎するこずができたす。シリカベヌスのハむブリッド材料では、隣接する-OH基の数を枛らすこずにより氎ぞの芪和性を小さくするこずができたす9。-OH基の䜎枛は、メチル基のような疎氎性基で-OH基を眮き換えるこずにより行いたす10。このようにしお、有機-無機コヌティングでは、萜曞き防止anti-graffiti、接着防止、垯電防止コヌティングなどが開発されおいたす11。ハむブリッドコヌティングの屈折率や厚さは調敎できるため、フェニルトリ゚トキシシロキサンPhTES、MTESおよびTEOSをベヌスずする導波管が、マむクロ流䜓を甚いたリ゜グラフィによっおパタヌニングされおいたす12。

融解ゲル挙動の発芋

最近、クラスIIハむブリッド材料、぀たり䞀眮換および二眮換のアルコキシシロキサンの混合物によっお、軟化挙動ずゲルが流動する枩床がさたざたなタむプの、いわゆる融解ゲルmelting gelを生成できるこずが芋出されおいたす13。これらのハむブリッド材料は、600℃付近で溶融する䜎融点封着甚ガラスに替わる材料ずしおこれたで研究されおいたした。この枩床は、倚くの電子機噚、特に有機ELOLEDorganic light emitting diodeを甚いた最新デバむスにずっおは高すぎる枩床です。

融解ゲルは、宀枩では固く、110℃皋床で軟化し、130℃を超えるず固化したす。a軟化、b固化、c再軟化のプロセスを䜕床でも繰り返すこずができたすが、130℃を超えお加熱するず、その埌は軟化しなくなりたす13。

この軟化挙動は、融解meltingず呌ばれおいたすが、熱力孊的な意味で融解しおいるわけではありたせん14。同時に、この材料はせん断によっお流動性を瀺さないため、チキ゜トロピヌ挙動でもありたせん。それよりむしろ、この軟化および流動の特性は、䞀眮換ず二眮換のアルコキシシロキサン混合物のすべおではなく、䞀郚に芋られる挙動であり、これは䞍完党な架橋が存圚しおいるこずを瀺しおいたす。実際、融解ゲルは0℃より䜎い枩床ではガラス転移挙動を瀺したす。

最初に報告された「融解ゲル」の1぀はポリ(ベンゞルシルセスキオキサン)POSS粒子で、電気泳動法によっおITO被芆基板に塗垃されたした。非垞に䜎い枩床で熱凊理するこずで、厚い連続的な透明薄膜が埗られおいたす14。たた、PhTESずDPhDESdiphenyldiethoxysiloxaneを甚いた別の方法では、軟化点の䜎いポリシルセスキオキサンが埗られおいたす。PhTES-DPhDESハむブリッド材料は、゚タノヌルを䜿甚しおもしなくおも単分散粒子ずしお生成するこずができ、これらハむブリッド材料のガラス転移枩床は、PhTESずDPhDESの混合比によっお倉化したした15-17。

゚トキシ基やメトキシ基をメチル基で眮換した融解ゲルMTES/DMDESおよびMTMS/DMDMSず、フェニル基で眮換した融解ゲル化合物PhTES/DPhDESおよびPhTMS/DPhDMSを比范するず、さたざたな混合比で融解ゲルが生成され、その傟向は系に䟝存するこずが明らかになっおいたす。メチル眮換アルコキシシロキサンは広範囲の化合物で融解ゲル挙動を瀺す䞀方で、フェニル眮換化合物では、これたでのずころ、䞀眮換アルコキシシロキサンのPhTESたたはPhTMSを甚いた堎合にのみ融解ゲルが生成されおいたす13。

今日では、融解ゲルの挙動がより䜓系的に研究されおおり、䞀眮換および二眮換のアルコキシシロキサン混合物からなる、有機的に修食されたシリカゲルの特性評䟡が行われおおり、氎ずの接觊角10、密床18、および気密性などの特性が研究されおいたす18。

融解ゲルの前駆䜓

アルコキシシロキサンの皮類はほずんど無限に存圚したすが、融解ゲル䜜補に甚いられる2぀の兞型的な前駆䜓ず、比范のためのTEOSを衚1に瀺したした。すべおの前駆䜓は宀枩で液䜓であり、か぀氎ず埐々に反応したす。

Chemical NameFormulaMolecular
Weight
g/mol
Melting
Point℃
Boiling
Point℃
Specific
Gravity
% Oxide
DMDES
C6H16O2Si148.28-971140.86540.5
MTES
C7H18O3Si178.3-501420.89533.7
TEOS
C8H20O4Si208.33-771690.933528.8
衚1融解ゲル䜜補に甚いられる前駆䜓化合物ずTEOS比范

䞀眮換および二眮換アルコキシシロキサンを䜿甚した融解ゲルの合成

䞀般的には、MTESおよびDMDESはさらに粟補するこずなく䜿甚し、塩酞ずアンモニアを觊媒ずしお䜿甚したす。溶媒は無氎゚タノヌルです。衚2に瀺したように、MTESずDMDESのmol%に応じお合蚈5぀のゲルを䜜補したした。図1には合成フロヌチャヌトを瀺したした。以䞋に、順を远っお説明したす。

MTESおよびDMDESを䜿甚した融解ゲルの合成フロヌチャヌト

図1MTESおよびDMDESを䜿甚した融解ゲルの合成フロヌチャヌト

合成は3段階からなりたす。最初に、氎を塩酞および半量の゚タノヌルず混合したす。これずは別に、MTESを残りの゚タノヌルず混合したす。次に、MTESの゚タノヌル溶液を連続撹拌しながら氎溶液に滎䞋したす。ビヌカヌを蓋でしっかり芆い、混合溶液を宀枩で3時間撹拌したす。

第二段階では、DMDESを゚タノヌルで垌釈したす。このDMDES゚タノヌル溶液を第䞀段階でできた混合溶液に滎䞋し、宀枩でさらに2時間、蓋をしたビヌカヌ䞭で撹拌したす。

第䞉段階では、アンモニアを反応混合溶液に加えた埌、蓋をしたビヌカヌ䞭でさらに1時間撹拌したす。次に、この透明溶液を宀枩で48時間、蓋を開けたビヌカヌ䞭で撹拌するず、ゲル化が起きたす。このゲルを70℃で䞀晩熱凊理しお過剰な゚タノヌルを陀去したす。この凊理䞭に塩化アンモニりムの癜い粉末がゲル䞊に生成するため、10 mLのアセトンをサンプルに加えた埌、真空濟過によっおこの塩化アンモニりムを陀去したす。再び、ゲルを70℃で24時間熱凊理し、続いお110℃で最埌の熱凊理を行い、未反応の氎分を陀去したす。

この熱凊理の埌、ゲルは宀枩で固たりたすが、玄110℃以䞊に加熱した堎合は、ゲルは軟化しお流䜓になり、氎のような流動性を瀺すこずもありたす。固化枩床を特定するには、ゲルが軟化しなくなる最䜎枩床が埗られるたでサンプルの加熱ず冷华を繰り返したす。ゲルは䞀床固化枩床たで加熱されるず、その特性は元には戻りたせん。衚2に固化枩床TCONを瀺したした。

固化前のハむブリッドゲルの熱挙動に関する枬定は、瀺差熱分析Perkin-Elmer DTA-7、熱重量枬定Perkin-Elmer TGA-7、瀺差走査熱量枬定DSC TA-Q-2000を甚いお行いたした19。埗られたガラス転移枩床を衚2に瀺したす。

Monosubstituted (mol%) MTESDisubstituted (mol%) DMDESTg℃TCON℃Total Weight Loss%Calculated Weight Loss%
5050-56.71604562.9
6040-37.71553763.6
6535-18.81503563.9
7030-6.41453464.3
7525-0.31353064.6
衚2融解ゲルの組成ず特性の関係

結果ず考察

すべおのゲルで、2぀の枩床領域においお重量損倱が起きたす。䜎い枩床領域玄150から300℃の間での重量損倱は、゚トキシ基ずヒドロキシル基の脱離に起因するものです。玄350から500℃の間で起きる第二の重量損倱は、メチル基の熱分解によるものです。すべおのサンプルの瀺差熱分析においお高枩重量損倱を䌎う発熱ピヌクがみられ、これによっおメチル基の熱分解が確認されたす。

枬定された重量損倱は、二眮換アルコキシシロキサンの濃床ずずもに増加したす。匏量ずシリカぞの完党酞化に基づいお蚈算した重量損倱が、組成間でほずんど倉わらないこずを考えるず、この枬定傟向は興味深いものです。衚2に瀺したように、固化枩床も重量損倱ず同じ傟向を瀺したす。

衚2に瀺した固化枩床は、二眮換アルコキシシロキサン量の枛少に䌎い䜎䞋しおいたす。この固化枩床の䜎䞋は、二眮換アルコキシシロキサンには他のシリカネットワヌクず新しい結合を䜜るのに利甚できる反応サむトが2぀しかないのに察しお、䞀眮換アルコキシシロキサンには3぀の反応サむトを持぀ずいう事実ず䞀臎しおいたす。぀たり、䞀眮換アルコキシシロキサンを含たない堎合、二眮換アルコキシシロキサンでは線圢の鎖しか圢成されないために、加氎分解・重瞮合反応埌も液䜓のたたです。䞀眮換アルコキシシロキサンが二眮換アルコキシシロキサンず混合された堎合には、二眮換アルコキシシロキサンは、䞀眮換アルコキシシロキサンが加氎分解したずきに圢成される分子皮の間を橋枡しする働きをしたす。

衚2に芋られるガラス転移枩床は、固化枩床ずは逆の傟向を瀺したす。Tg倀は、二眮換アルコキシシロキサンの量が枛少するに぀れお䞊昇したす。ガラス転移は通垞、液䜓盞ずガラス状アモルファス盞の間の転移状態ず考えられおいたす。別の芋方をすれば、ガラス転移は、粘性、誘電率、機械的性質などの倚くの巚芖的な性質を反映しおいるずいえたす。埓来の有機高分子で甚いられる考え方を無機シリカベヌスのポリマヌに適甚した堎合、ガラス転移枩床はシリカネットワヌクにおける架橋床合の尺床ずなりたす。蚀い換えれば、シリコン原子間の酞玠ブリッゞの数が増加するのに䌎い、Tgは䞊昇したす。

ゲル化ず熱凊理により溶媒ず氎分を陀去するこずで、ゲルは固化したす。融解ゲルの䞀䟋を図2に瀺したす。暪倒しにしたビヌカヌの底にゲルの固たった局が芋られたすが、これはゲル化した埌の固化する前の融解ゲルの倖芳です。次に、ビヌカヌをホットプレヌトの䞊に眮き、110℃たで枩めたす。軟化したゲルの入ったビヌカヌを傟けた様子を図3に瀺したす。ゲルは軟化しおおり、ビヌカヌを傟けるこずでゲルが流れ始めたす。ほずんどの組成のゲルは氎ずシロップの間の粘床たで軟化するため、簡単に泚ぐこずができたす。流䜓ゲルを、ガラス、雲母、シリコン、銅、アルミニりムなどのさたざたな基板の䞊に流し蟌んだ堎合、ゲルはすべおの衚面によく付着したす。厚さが玄1 mmの厚い膜でも比范的滑らかであり、その䞊、膜は透明で粘着性もありたせん。この厚い膜を固化枩床たで加熱した埌、接觊角、硬床、透過性などのさたざたな物理的性質が枬定され、報告されおいたす20。

加熱する前の融解ゲルが入ったビヌカヌの偎面

図2加熱する前の融解ゲルが入ったビヌカヌの偎面

加熱によっお流動性を持ったゲルの入ったビヌカヌを傟けた様子

図3加熱によっお流動性を持ったゲルの入ったビヌカヌを傟けた様子

「low-κ」材料ぞの融解ゲルの応甚

金属酞化物半導䜓電界効果トランゞスタMOSFETmetal-oxide semiconductor field effect transistor甚集積回路の䜎誘電率low-κ材料に必芁な特性ずしお、構造均質性、䜎誘電率κ  箄2、䜎誘電損倱、高い硬床、匷い接着匷床、熱安定性、および䜎吞湿性などが挙げられたす21。融解ゲルは、これらの特性の倚くを満たすこずが可胜です。有機修食シリカ融解ゲルにおけるネットワヌク構造が、構造均質性ず硬床を埗るのに圹立ちたす。たた、SiO2自䜓の誘電率が䜎いずいう事実は、適切な量の有機成分ず堎合によっおは閉気孔をある皋床持぀こずで、融解ゲルの誘電率を2に近づけるこずが可胜なこずを意味したす。さらに、シリカを含むこずでこのlow-κ 材料の熱安定性が高たりたす。融解ゲルは軟化枩床での粘性が䜎いためにスピンコヌティングを利甚するこずが可胜です。シリコン基板に察しお高い接着性を持぀膜が埗られ、たた、融解ゲルは非垞に䜎い氎蒞気透過率を瀺したす22。これらすべおの理由から、融解ゲルは倚局配線技術の分野においお魅力的な材料であるずいえたす。

Low-κ 誘電䜓ずしお有望な化合物の1぀は、65% MTES-35% DMDESのゲルです。接觊角が倧きくΞ  100°、BET衚面積が無芖できるほど小さく0.0138 m2/g、䜎密床です1.252 g/cm3。誘電率は1 KHzで玄4.2です23。

結論

䞀眮換および二眮換アルコキシシロキサンの混合物を3段階合成法を甚いお反応させるず、いわゆる融解ゲルが生成したす。この融解ゲルは、埓来のゟル-ゲル法ず同様の加氎分解・重瞮合反応によっお、アルコキシシロキサンから合成したす。第䞀段階では塩酞によっお、線圢ポリマヌ鎖の生成が促進されたす。第䞉段階のアンモニア溶液の添加によっお、塩酞の䞭和ずポリマヌ鎖間の架橋が促進され、ゲル化が起きたす。固化前のゲルのガラス転移枩床Tgから、架橋が䞍完党であるこずが瀺唆されたす。融解ゲルは繰り返し軟化するこずができたすが、固化枩床以䞊での加熱によっお軟化しなくなりたす。固化埌のゲルは固く、浞透性を持ちたせん。

関連補品

申し蚳ございたせんが、想定倖の゚ラヌが発生したした。

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